第三代半导体为近年新兴的技术，主要探讨于碳化硅、氮化镓等长禁带半导体新材料领域的突破性技术发展以及新材料器件研发。20世纪初经常出现第三代半导体涉及专利申请，约在2000年以后，涉及专利申请开始转入快速增长阶段。美国早期领衔全球专利快速增长，2010年前后我国的申请量首次多达美国。美国、日本、中国、韩国、德国等国家或地区涉及专利申请量快速增长较慢。

截至2018年9月30日，第三代半导体产业专利总量大约为8．751万件。碳化硅、氮化镓、其他金属氧化物三种主要材料申请人数量更为相似；其中碳化硅材料功率半导体和器件工艺更为热门，氮化镓材料外延生长和光电子比重较小。从衬底技术、结构、设备等方面分涉氮化镓器件制取的技术演变如下图。

氮化镓具备大禁带宽度、低电子饱和状态速率、低穿透电场、较高热导率、耐腐蚀以及抗辐射等优点，又与现有硅半导体工艺兼容性强劲，在降低成本方面表明更大的潜力。

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